金融界2025年1月31日讯息,国度学问产权局信息久了,上海华虹宏力半导体制造有限公司恳求一项名为“半导体器件的变成要津”的专利,公开号CN 119384033 A,恳求日历为2024年10月。 专利摘录久了,本发明提供一种半导体器件的变成要津,包括:提供衬底;试验第一有源区的P阱离子注入;在第一有源区的衬底上变成第一栅极层;在第二有源区的衬底上变成第二栅极层;试验无掩膜N型漏极轻掺杂离子注入;吞并光罩下试验第二有源区的N阱离子注入和P型漏极轻掺杂离子注入。在低成本、高性价比平台加工,将N阱离...
金融界2025年1月31日讯息,国度学问产权局信息久了,上海华虹宏力半导体制造有限公司恳求一项名为“半导体器件的变成要津”的专利,公开号CN 119384033 A,恳求日历为2024年10月。
专利摘录久了,本发明提供一种半导体器件的变成要津,包括:提供衬底;试验第一有源区的P阱离子注入;在第一有源区的衬底上变成第一栅极层;在第二有源区的衬底上变成第二栅极层;试验无掩膜N型漏极轻掺杂离子注入;吞并光罩下试验第二有源区的N阱离子注入和P型漏极轻掺杂离子注入。在低成本、高性价比平台加工,将N阱离子注入与P型漏极轻掺杂离子注入共用吞并光罩;在栅极层刻蚀之后,保留栅极层刻蚀后的光阻层情况下进行无掩模N型漏极轻掺杂离子注入,幸免栅极层被N型轻参杂离子注入打穿。省俭了变成N阱和N型漏极轻掺杂这两谈工艺的光罩。保留两谈LDD离子注入工艺下,保证NMOS管的热载流子效应性能,缩小了衬底走电流,通过可靠性测试。
天眼查而已久了,上海华虹宏力半导体制造有限公司,建造于2013年,位于上海市,是一家以从事估量打算机、通讯和其他电子开发制造业为主的企业。企业注册老本2046092.7759万东谈主民币,实缴老本2046092.7759万东谈主民币。通过天眼查大数据分析,上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了7家企业,参与招投标表情840次,学问产权方面有商标信息39条,专利信息5000条,此外企业还领有行政许可428个。
开头:金融界kaiyun官方网站
发布于:北京市